Появились новые детали о техпроцессе 22-нм FD-SOI

3DNews: Новости Hardware.

О планах GlobalFoundries, касающихся освоения 22-нанометровой технологии FD-SOI, мы сообщали совсем недавно, а сейчас в Сети появились подробности об этом техпроцессе. Во-первых, внедрение FD-SOI подтверждено: технологический процесс будет готов к началу экспериментального производства чипов (tape-outs) в начале 2016 года, а массовое производство начнётся ближе к концу того же года. Технология, имеющая ряд преимуществ, будет использоваться, главным образом, для малых чипов, выпускаемых в больших объёмах. Разработчики сложных интегральных схем вряд ли будут заинтересованы в использовании 22-нм FD-SOI.

Техпроцесс, разрабатываемый в стенах GlobalFoundries, будет использовать 28-нанометровые BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики) STMicroelectronics, а также FEOL (front-end-of-line, отдельные транзисторы и другие элементы) того же разработчика, но 14-нанометровые. Следует знать, что габариты кристалла определяются именно техпроцессом BEOL. Как и вышеупомянутые технологии STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries 22-нм FD-SOI будет являть собой планарную технологию. Планарные техпроцессы, как известно, требуют меньше слоёв металлизации и более простые фотомаски, в сравнении с техпроцессами класса FinFET. В отличие от версии процесса STMicroelectronics, техпроцесс GlobalFoundries не потребует использования мультипаттернинга (double-patterning, технология увеличения плотности размещения элементов), что существенно упростит проектирование чипов по этой технологии.

Читать далее >>>

Добавить комментарий