В новом году Samsung приступит к производству 1-Тбит 3D NAND

3DNews: Новости Hardware.

В 2018 году, используя 96-слойную структуру памяти 3D NAND и четырёхбитовую ячейку QLC, компании Toshiba и Western Digital намерены организовать производство кристаллов энергонезависимой памяти ёмкостью 768 Гбит. До заветного терабита на один кристалл осталось совсем немного. Покорить этот рубеж вполне предсказуемо собирается компания Samsung. Образцы 96-слойной памяти Toshiba BiCS4 3D NAND

Читать далее >>>

Добавить комментарий